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　　单片机内部结构及原理简介（1）外部引脚功能 （2）存储空间配置和功能 单片机的工作过程2.1.1 内部结构与基本特性 运算器控制器 时钟电路 4KROM 程序存储器 256BRAM 数据存储器 2X16位 定时/计数器 CPU 处理器 64KB总线 扩展控制器 可编程I/O 端口P0-3 可编程 串行口 内部程序存储器内部程序存储器ROM ROM ：：4KB 4KB的存储容量； 的存储容量； 内部数据存储器内部数据存储器RAM RAM：：256B 256B(128B (128B的的RAM+2 RAM+2 1B 1B的的SFR) SFR) 寄存器区：设有寄存器区：设有44个寄存器区 个寄存器区，每一个区有 ，每一个区有 R0 R0--R7 R7八个工作寄存器； 八个工作寄存器； 88位并行输入输出端口：位并行输入输出端口：P0 P0、、P1 P1、、P2 P2和和P3 P3；； 定时定时//计数器： 计数器：22个个16 16位位的定时 的定时//计数器； 计数器； 串口：串口：全双工 全双工端口（ 端口（RXD RXD：接收端， ：接收端，TXD TXD发发 中断系统：设有中断系统：设有55个中断源 个中断源；； 系统扩展能力：可外接系统扩展能力：可外接64K 64K的的ROM ROM 和和64KB 64KB RAM RAM；； 堆栈：设在堆栈：设在RAM RAM单元 单元中，可以浮动既通过堆 中，可以浮动既通过堆 栈指针 栈指针SP SP来确定堆栈的位置 来确定堆栈的位置 布尔处理机：配合布尔处理机：配合布尔 布尔运算的指令进行各种 运算的指令进行各种 逻辑运算； 逻辑运算； 指令系统：指令系统：111 111条指令 条指令。。 MCS-51系列芯片及制造工艺 型号 片内ROM 片内RAM DIP40脚 8051 掩膜4KB 128B+SFR DIP40脚 8751 EPROM 4KB 128B+SFR DIP40脚 89C51 FLASH 4KB 128B+SFR DIP40脚 89C2051 FLASH 2KB 128B+SFR 15 简化DIP 20脚 8XC52 8K 256B+SFR 2.1.2MCS-51 （1）MCS-51单片机有两种封装形式： a.40脚的双列直插DIP封装； DualIn－line Package b.44脚的PLCC---------- Plastic Leaded Chip Carrier c.其他的封装形式 。 封装形式 MCS-51P1 P2 P3 P0 晶体振荡电路反相输入端和输出端。 15～45pfx2 1～12MHz（MCS-51） 0～24MHz（Atmel-89C） XTAL1 XTAL2 也可以由 XTAL1端接 入外部时钟，此时应 XTAL2接地：XTAL2 XTAL1 外部时钟 通常外接一个 晶振两个电容 PROG功能：片内有EPROM的芯片，在EPROM编程期间，此引脚输入编程脉冲。 RST（9脚）：在系统上电震荡器开始工作时， 在内部加 在此引脚上有一个两个时钟周期的高电平使单 片机复位。但为了使系统复位可靠，建议外加 一个上电复位电路，延长复位的时间。当单片 机掉点时，此引脚可以接入备用电源向单片机 内部的RAM供电，以防止RAM中的数据丢失。 注意：在复位状态下：所有SFR的内容全 变为“0”，端口输出“1”。RAM内容不变。 RST Vcc 1K 10Ω RSTVcc T=RC单片机 74LS373P0.0-P0.7 ALE PSEN P2.0-P2.4 8D 8Q OE A8-A12 A0-A7 D0-D7 EAOE CE EPROM PSEN：寻址外部程序存储器时选通外部EPROM的 读控制端（OE）低有效。 EPROM 80C51单片机ROM寻址范围为64KB，其中4KB在片内，60KB在片外(80C31芯片无内ROM，全部在片外)。 当EA保持高电平时，先访问内ROM，但当PC(程序计数器)值超过4KB(0FFFH)时，将自动转向执行外ROM中的程序。 当EA保持低电平时，则只访问外ROM，不管芯片内有否内ROM。对80C31芯片，片内无ROM，因此EA必须接地。 Vpp功能：片内有EPROM的芯片，在EPROM编程期间，施加编程电源Vpp。 80C51共有4个8位并行I/O端口：P0、P1、P2、P3 口，共32个引脚。P3口还具有第二功能，用于特殊 信号输入输出和控制信号（属控制总线 RXD：串行口输入端；P3.1 TXD：串行口输出端；P3.2 INT0：外部中断0请求输入端；P3.3 INT1：外部中断1请求输入端；P3.4 T0：定时/计数器0外部信号输入端；P3.5 T1：定时/计数器1外部信号输入端；P3.6 WR：外RAM写选通信号输出端；P3.7 RD：外RAM读选通信号输出端。80C51的存储器组织结构可以分为三 个不同的存储空间，分别是： 256B内部数据存储器(内RAM)(包括特殊功能寄存器）。 64KB外部数据存储器（外RAM）；80C51存储空间配置图 MCS-51 单片机 ROM4K RAM256B RAM64K ROM64K （1）MCS-51 片内数据存储器 特殊功能 寄存器 SFR 通用数据 存储器 80H 7FH 00H FFH RAMRAM RAM128B 位寻址区 便笺区07H 00H 7FH 30H 2FH 20H 1FH 17H 0FH 四个工作寄存器区 每个区中有R0-R7 八个工作寄存器 位寻址区 16个单元20H-2FH， 共有128 可寻址位个位。 位地址：00H-7FH 注意：位地址与字节地址的区别 通用的RAM区 地址：30H-7FH 0区工作寄存器区结构图 R7 R6 R5 R4 R3 R2 R1 R0 RAM地址 07H 06H 05H 04H 03H 02H 01H 00H 返回上一次 （3）片内RAM（20H-2FH）位寻址 7F7E 7D 7C 7B 7A 79 78 77 76 75 74 73 72 71 70 6F 6E 6D 6C 6B 6A 69 68 67 66 65 64 63 62 61 60 5F 5E 5D 5C 5B 5A 59 58 57 56 55 54 53 52 51 50 4F 4E 4D 4C 4B 4A 49 48 47 46 45 44 43 42 41 40 3F 3E 3D 3C 3B 3A 39 38 37 26 25 24 23 22 21 20 2F 2E 2D 2C 2B 2A 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 1F 1E 1D 1C 1B 1A 19 18 17 16 15 14 13 12 11 10 0F 0E 0D 0C 0B 0A 09 08 07 06 05 04 03 02 01 00 2FH 20H 字节地址 字节地址和位地址是靠不同类型的指令来区分的。如： MOV 将RAM的20单元内容送累加器A；MOV 将RAM位寻址区中20H位送CY中。RAM 128B 特殊功能寄存器SFR（21） 特殊用途寄存器的集合。用来设定单片机内部 各个部件的工作方式，存放相关部件的状态，定时 器初值寄存器，并行端口的锁存器等。 SFR 高128B 低128B 0FFH 80H 7FH 00H 特殊功能寄存器 SFR在片内RAM 中的位置 标识符 地址ACC PSWSP DPTR P0 P1 P2 P3 IP IE TMOD TCON 累加器 B寄存器 程序状态字 堆栈指针 数据指针(包括DPH,DPL) 中断优先级控制寄存器中断允许控制寄存器 定时/计数器方式控制寄存器 定时/计数器控制寄存器 0E0H 0F0H 0D0H 81H 83H,82H 80H 90H 0A0H 0B0H 0B8H 0A8H 89H 88H 特殊功能寄存器 特殊功能寄存器 SFR SFR（ （21 21页表 页表22--44）） 标识符 TH0TL0 TH1 TL1 SCON SBUF PCON 定时/计数器0初值寄存器高8位 定时/计数器0初值寄存器低8位 定时/计数器1初值寄存器高8位 定时/计数器1初值寄存器低8位 串行口控制寄存器 串行口数据缓冲器(接收,发送) 电源控制寄存器 8CH 8AH 8DH 8BH 98H 99H 97H SFR SFR 累加器 累加器A: 最常用的专用寄存器最常用的专用寄存器, 大多大多 数的指令操作数都来自累加器 数的指令操作数都来自累加器A. A.所有 所有 的算术运算指令的运算结果都存放在 的算术运算指令的运算结果都存放在AA BB寄存器寄存器:: 乘除法指令使用的寄存器 乘除法指令使用的寄存器.. 数据指针DPTR:16位寄存器，高八位DPH和低八位DPL构成。 SP堆栈指针： 8位寄存器，用来指示堆栈的位置,可由 软件修改。在MCS-51单片机的设计中，片 内RAM区为堆栈的可用空间。上电或复位时， SP被初始化为07H，既堆栈底部被确定在 RAM的07H单元。 CY(PSW.7)进位标志: 在加减法运算中,累加器A的最高位A7有进位,则 CY=1,否则CY=0. AC(PSW.6):辅助进位位: 用来判断加减法运算时,低四位是否向高四位进位 或借位(既A3的进位或借位). F0(PSW.5) 用户标志位: 完全由用户来定义和使用。 RS1,RS0工作寄存器区选择位: CY AC F0 RS1 RS0 OV OV(PSW.2)溢出标志位: 判断符号数加减法运算时是否有溢出. OV的结果可以用一个算法来表示: OV=CP异或CS 其中:CP为A7的进位,CS为A6的进位 OV=1 表明有溢出。 P(PSW.0)奇偶标志位:用来标志累加器A中运算后1的个数。 当P=1时,表明A中1的个数为奇数个,反 之为偶数个。 并行端口P0-P3：SFR中的P0-P3实际上就是I/O端口的数 据锁存器。与RAM中的任意一个单元一样， P0-P3都有自己的RAM地址：80H、90H、A0H、 B0H。所以，在51单片机中的输入、输出操 作实际上就是个普通的RAM单元操作一样： 执行调用子程序或发生中断时，CPU会自动将当前PC值压入堆栈，将子程序入口地址或中断入口地址装 入PC；子程序返回或中断返回时，恢复原有被压入堆 栈的PC值，继续执行原顺序程序指令。 PC不属于特殊功能寄存器，不可访问，在物理结构上是独立的。 PC是一个16位的地址寄存器，用于存放将要从ROM中读出的下一字节指令码的地址，因此也称为地址指针。 自动加1。CPU从ROM中每读一个字节，自动执行PC+1PC； 执行转移指令时，PC会根据该指令要求修改下一次读ROM新的地址； FFFFH 1000H 0FFFH 0000H 片外程序存储器 （最大64K） 0FFFH 0000H 单片机内部 程序存储器 （4K） 地址范围：0000H～FFFFH，共64KB。其中:低段4KB：0000H～0FFFH 80C51和87C51在片内，80C31在片外。 高段60KB：1000H～FFFFH。在片外。 读写ROM用MOVC指令，控制信号是PSEN和EA。 读ROM是以程序计数器PC作为16位地址指针，依次读相 应地址ROM中的指令和数据，每读一个字节，PC+1PC，这 是CPU自动形成的。 但是有些指令有修改PC的功能，例如转移类指令和MOVC 指令，CPU将按修改后PC的16位地址读ROM。 读外ROM的过程： CPU从PC(程序计数器)中取出当前ROM的16位地 址，分别由P0口（低8位）和P2口（高8位）同时输 出，ALE信号有效时由地址锁存器锁存低8位地址信 号，地址锁存器输出的低8位地址信号和P2口输出的 高8位地址信号同时加到外ROM 16位地址输入端，当 PSEN信号有效时，外ROM将相应地址存储单元中数据 送至数据总线口），CPU读入后存入指定单元。 需要指出的是: 64KB中有一小段范围是80C51 系统专用单元，0003H～0023H是5个中断源中断服 务程序入口地址(详见第5章)，用户不能安排其他 内容。 80C51复位后，PC=0000H，CPU从地址为0000H的 ROM单元中读取指令和数据。从0000H到0003H只有 3B，根本不可能安排一个完整的系统程序，而 80C51又是依次读ROM字节的。因此，这3B只能用来 安排一条跳转指令，跳转到其他合适的地址范围去 执行真正的主程序。 地址范围：0000H～FFFFH共64KB。 读写外RAM用MOVX指令，控制信号是P3口中的RD和WR。 一般情况下，只有在内RAM不能满足应用 要求时，才外接RAM。 外RAM 16位地址分别由P0口（低8位）和P2口（高8 位）同时输出，ALE信号有效时由地址锁存器锁存低8位 地址信号，地址锁存器输出的低8位地址信号和P2口输出 的高8位地址信号同时加到外RAM 16位地址输入端，当RD 信号有效时，外RAM将相应地址存储单元中的数据送至数 据总线口），CPU读入后存入指定单元。 读外RAM的过程增加 写外RAM的过程： 写外RAM的过程与读外RAM的过程相同。只是控制 信号不同，信号换成WR信号。当WR信号有效时， 外RAM将数据总线口分时传送）上的数据写入相 应地址存储单元中。 2.2.1 P0 一、特点 （1）在作为通用数据I/O端口时,具有较 强的驱动能力(8个TTL负载),与MOS负载连接 时,需要外接一个上拉电阻。 （2）作为“地址、数据复用总线口首先输出外部存储器的低八位地址,然 后再变为数据总线进行数据的输入或输出.此 时，P0口不能再作为通用I/O口。 P0口的位结构图 返回 返回前一次 P0.x引脚 Vcc 地址/数据 1/0 控制(=0时) 读引脚内部总线时) Vcc 上拉电阻 读引脚 与外电路连接 内部总线 地址/数据 控制 引脚P0.X VccP0用作通用I/O时，控制=0 此脚作输出口时，当P0口用作输出口时，因输出级处于开漏状态，必须外接上拉电阻。 V2 V1 内部总线口用作地址/数据复用口，控制=1 •作地址/数据输出：输出地址/数据 V1V2 内部总线口用作地址/数据复用口 作/数据输入：与P0用作通用I/O时输入时情况 相同，CPU使V1、V2均截止，从引脚上输入的外部 数据经缓冲器U2进入内部数据总线 内部总线 地址/数据 控制 引脚P0.X P0P0 在输入操作前,为了保证输入正确，必须先向端口写1；V2 V1 做通用数据I/O端口时,输出级上端的FET处于截止状态,所以与MOS器件连接时,必须接“上拉电 阻”,否则不能正确的输出高电平； “读引脚”与“读锁存器”是不同的两个数据通道。凡是“读—修改—写” 的操作,CPU读的都是 端口锁存器中的数据； 为提高电路可靠性,端口引脚不要直接与三极管一类的器件直接连接,应加隔离电路或与三极管之 间加一个电阻； 负载的接法（负载的接法（增加的内容 增加的内容）） “拉电流”还是“灌电流”----与大电流负载连接 (我们以美国ATMEL公司生产的AT8951为例) 使用灌电流的方式与电流较大的负载直接连接时, 端口可以吸收约20mA的电流而保 证端口电平不高于0.45V（见右上图）。 （2）采用拉电流方式连接负载时，AT89C51 所能提供“拉电流”仅仅为80μA，否则输出的 高电平会急剧下降.如果我们采用右下图的方式， 向端口输出一个高电平去点亮LED，会发现，端 口输出的电平不是“1”而是“0”！ Px.y Vdd Px.y Vdd Vdd 灌电流方式 输出”0”点 亮LED 拉电流方式 输出高电平 点亮LED 返回 单片机与继电器等大电流负载的接口 AT89C51的端口可以吸收约20mA的电流.对于继电器等大 于20mA的负载,单片机可以采 用右图的接法,用一个三极管来 承担负载所需的大电流. 若于负载电流易造成干扰单片机的环境,应采用右下图”光电隔 离”的方式.其中: B两处没有任何电的联系. VccVdd Px.y 返回Px.y 负载 Vcc 2.2.2 P1 P1.x引脚 Vcc 读引脚内部总线 内部上拉电阻上拉电阻 三态门 2.2.3 P2 返回上一次 P2.x引脚 Vcc 地址/数据 1/0 控制 读引脚内部总线 MUX(地址/数据=0) 内部上拉电阻 应当注意的是：仅使用外部数据存储器时，P2口分两种情况： （1）仅仅使用256B的外部RAM时，既使用movx a,@r0指令访问外部RAM，此时用8位的寄存器R0或R1 作间址寄存器，这时P2口无用，所以在这种情况下，P2 口仍然可以做通用I/O端口。 （2）如果访问外部ROM或使用大于256BRAM时， P2口必须作为外存储器的高八位地址总线。 如：movx DPTR；访问外部数据存储器 movc DPTR；访问外部程序存储器 上一页 返回 2.2.4 P3 返回 P3.x引脚 替代输出功能 读引脚内部总线 MUX(地址/数据=0) Vcc 上拉电阻 2.3.1 时钟电路 时钟周期（震荡周期）。 80C51振荡器产生的时钟脉冲频率的倒数，是最基 本最小的定时信号。 状态周期 它是将时钟脉冲二分频后的脉冲信号。状态周期是 时钟周期的两倍。状态周期又称S周期。在S周期内有两 个时钟周期，即分为两拍，分别称为P1和P2 机器周期是6个状态周期、12个时钟周期。 当时钟频率为12MHz时，机器周期为1S； 当时钟频率为6MHz时，机器周期为2S。 机器周期80C51单片机工作的基本定时单位，简称机周。 一个机器周期含有6个状态周期，分别为S1、S2、…、 S6，每个状态周期有两拍，分别为S1P1、S1P2、S2P1、 S2P2…，S6P1、S6P2 （4）指令周期 指CPU执行一条指令占用的时间(用机器周期表示)。 80C51执行各种指令时间是不一样的，可分为三类：单机 周指令、双机周指令和四机周指令。其中单机周指令有64 条，双机周指令有45条，四机周指令只有2条(乘法和除法 指令)，无三机周指令。 图2-9 80C51的取指／执行时序 双字节单周期指令，例：ADDA，#data c)单字节双周期指令，例 INC DPTR d)双字节双周期指令：例 PHSH direct 振荡周期(时钟周期)= 晶振频率fosc的倒数； 1个机器周期 6个状态周期1个机器周期 12个时钟周期；1个指令周期 1、2、4个机器周期2.3.3 复位电路 80C51单片机的工作方式共有四种： 复位方式； 程序执行方式； 节电方式； 片内ROM编程（包括校验）方式。 复位条件 RST引脚保持2个机器周期以上的高电平。 实现复位操作，必须使RST引脚(9)保持两 个机器周期以上的高电平。例如，若时钟频率为 12MHz，每机周为1 ，则只需持续2S以上时 间的高电平；若时钟频率为6MHz，每个机器周 ，则需要持续4S以上时间的高电平。PC： 0000H TMOD： 00H Acc： 00H TCON： 00H 00HTH0： 00H PSW： 00H TL0： 00H SP： 07H TH1： 00H DPTR：0000H TL1： 00H P0～P3：FFH SCON： 00H IP：00000B SBUF： 不定 IE：000000B PCON： 00000B 2.4.2 程序的执行方式 单步执行方式待机(休闲)方式（Idle） 掉电保护方式（Power Down） 在Vcc=5V，fosc=12MHz条件下， 正常工作时电流约20mA； 待机(休闲)方式时电流约5mA； 掉电保护方式时电流仅75A。 （1）SMOD：波特率倍增位。 （2）GF1和GF0：通用标志位。由软件置、复位。 （3）PD：掉电方式位。若PD 1，进入掉电工作方式。（4）IDL：待机方式位。若IDL 1，进入待机方式。如果PD和IDL同时为1，则进入掉电工作方式。复位时， PCON中所有定义位均为0。 待机（休闲）方式 待机（休闲）状态退出 产生中断； 复位。 待机（休闲）方式状态 片内时钟仅向中断源提供，其余被阻断； PC、特殊功能寄存器和片内RAM状态保持不变； I/O引脚端口值保持原逻辑值； ALE、保持逻辑高电平； CPU不工作，但中断功能继续存在。 待机（休闲）状态进入 只要使PCON中IDL位置1。 掉电保护方式 掉电保护状态退出 掉电保护方式状态 片内振荡器停振，所有功能部件停止工作； 片内RAM数据信息保存不变； ALE、PSEN为低电平； Vcc可降至2V，但不能真正掉电。 掉电保护状态进入 只要使PCON中PD位置1。 唯一方法是硬件复位，复位后片内RAM 数据不变，特殊功能寄存器内容按复位状 态初始化。 2.5 单片机的工作过程 1.取指令过程(代码74H，E0H，分别存于0000H和0001H) （1）0000H送片内地址寄存器； （2）PC的自动加1； （3）地址寄存器的内容送存储器； （4）发出读命令； （5）将单元的指令代码送指令寄存器。 （1）分析前面取得指令的代码，如取数指令； （2）0001送地址寄存器； （3）发出读命令； （4）单元内容送A; 2.6 80C51 一、概述 单片机最小系统就是能使单片机工作的最 少的器件构成的系统，是大多数控制系统所 必不可少的关键部分。 二、组成与原理电路 微处理器 AT89C52 晶体振荡 74ls373外部存 RAM6264 单片机最小系统的构成框图 TitleNumber Revision Size A4 Date: 22 -May -20 07 Sh eet File:D:\06 电子设计大赛\电子设计竞赛\20 05 \电路板设计与制作\竞赛设计.dd EA/VP31 X1 19 X2 18 RESET RD17 WR 16 INT0 12 INT1 13 T0 14 T1 15 P1 39P0 38P0 37P0 36P0 35P0 34P0 33P0 32P2 21P2 22P2 23P2 24P2 25P2 26P2 27P2 28PSEN 29 ALE/P 30 TXD 11 RXD 10 U3 89C52WD D0 D413 Q4 12 D5 14 Q5 15 D6 17 Q6 16 D7 18 Q7 19 OE LE11 U4 74HC373 A0 10 A1 A825 A9 24 A10 21 A11 23 A12 CS120 CS2 26 WE 27 OE 22 D0 11 D1 12 D2 13 D3 15 D4 16 D5 17 D6 18 D7 19 U5 6264 Y015 Y1 14 Y2 13 Y3 12 Y4 11 Y5 10 Y6 U774HC138 12 C920 D0D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 VCC ADDR1 ADDR2 VCC VCC P1 D21N41 48 VCC MAX7 U8B74 HC02 P1 看门狗电路U9 TXD RXD P3 A0-A7D0-D7 J4CON10 J5CON10 J6CON4 J7CON8 VCC GND 10J2 CON10 VCC GND P3 1011 12 J1 KEY P3 J320 PI 单片机的最小系统CPU 存储器 监控电路 单片机最小系统的原理图 Vcc,GND: 电源端 XTAL1,XTAL2: 片内振荡电路输入、输出端 RESET:复位端 正脉冲有效（宽度8 mS） EA/Vpp:寻址外部ROM控制端。低有效 片内有ROM时应当接高电平。 ALE/PROG:地址锁存允许控制端。 PSEN：选通外部ROM的读(OE)控制端。低有效 小结 P0.0—P0.7:8位数据口和输出低8位地址复用口(复用时是双向口；不复用时也是准双向口) P1.0—P1.7:通用I/O口（准双向口） P2.0—P2.7:输出高8位地址 （用于寻址时是输出口；不寻址时是准双向口） P3.0—P3.7:具有特定的第二功能（准双向口） 注意：在不外扩ROM/RAM时，P0～P3均可作通用I/O 口使用，而且都是准双向I/O口(例如:AT89C51)！ 小结 P3.0RxD: 串行口接收数据输入端 P3.1 TxD: 串行口发送数据输出端 P3.2 INT0: 外部中断申请输入端 P3.3INT1: 外部中断申请输入端 P3.4T0: 外部计数脉冲输入端 P3.5T1: 外部计数脉冲输入端 P3.6WR: 写外设控制信号输出端 P3.7 RD: 读外设控制信号输出端 小结 寄存器 复位状态 寄存器 复位状态 PC 0000H TCON 00H 00HT2CON 00H 00HTH0 00H PSW 00H TL0 00H SP 07H TH1 00H DPTR 0000H TL1 00H P0-P3 FFH SCON 00H IP XX000000B SBUF XXH IE 0X000000B PCON 0XXX0000B TMOD 00H 回顾 片内RAM128字节（00H—7FH）； 片内RAM前32个单元是工作寄存器区(00H—1FH) 片内RAM有128个可按位寻址的位，占16个单元。 位地址编号为：00H—7FH 分布在：20H—2FH单元 片内21个特殊功能寄存器(SFR)中：地址号能被8整除的 SFR中的各位也可按位寻址 可寻址片外RAM64K字节 （0000H—FFFFH） 可寻址片外ROM64K字节 （0000H—FFFFH） FlashROM 4K字节 （000H—FFFH） 小结 片内RAM128字节（00H—7FH） 00H 20H 2FH 7FH 1FH 30H 80H FFH 52子系列才有 的RAM区 普通RAM区 位寻址区 工作寄存器区 SFR分布在 80H-FFH 其中92个位 可位寻址 80H FFH 所有的RAM区(包括位寻址 区、工作寄存器区）都可 以用于存放数据，故也称 为数据缓存寄存器 128字节 小结 可寻址片外RAM64K字节 （0000H—FFFFH）； 可寻址片外ROM64K字节 （0000H—FFFFH）； FlashROM 4K字节 （000H—FFFH）； FFFFH 0000H 可寻址 RAM64K 字节 FFFFH 0000H 可寻址 ROM64K 字节 FFFH 000H 可寻址 FlashROM 4K 字节 89C51 7FH 00H RAM128字节 FFH 80H 小结 Thank you!